关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/03 11:30:29
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关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子
关于pn结中多子少子
在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子只定义在耗尽区之外的N区或P区中.那书上的这句话中的多子少子是什么?
关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子
多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子;在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.
也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载流子”的,含义一样.
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关于三极管不同PN结正向偏置和反向偏置的问题
什么是PN结的偏置?正向偏置?反向偏置?
关于多子和少子!在,PN结中,为什么多子与温度关系小,而少子与温度有很大关系呢?
关于三极管不同PN结正向偏置和反向偏置的问题对于三极管来说 ,如果发射结正向偏置,集电结反向偏置的话,三极管就具有放大特性!但是如果发射结正向偏置,集电结也正向偏置呢?那又是一种
PN结中,什么叫多子和少子
pn结正向偏置时为啥空间电荷区会变窄
1,光电二极管工作时需加__________偏置电压.2,PN结在正向时导通,反向时截止,这种特性称为_________.
关于半导体PN结正向偏置时,电场与内电场相反,扩散运动增大应该会导致PN结增大,怎么会是减小呢
当PN结正向偏置和反向偏置时,载流子怎样运动?
判断题:PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大.
关于三极管的导通问题.在三极管的放大电路中,是不是一定要把基极跟发射极(既BE的PN结)必须正向偏置是么?如果想导通三极管的话是不是只有在Vbe大于0.7V的情况下才导通,导通后Vbe的电压
关于FET工作原理简答题.简答题:JFET 栅极与沟通间PN结在一般作为放大器件工作时,能正向偏置吗?耗尽型MOS 管呢?为什么?知道结论,但不知该怎样陈述.
何谓PN结的正向偏置和反向偏置?何谓PN结的单向导电性?我写卷子,
关于PN结中的电子和空穴电子和空穴在PN结交界处会复合,其实质就是扩散运动.如果再外加一个正向偏置电压,就相当于减小了PN结处空间电荷区的场强,使得扩散运动加剧,但依旧会复合.那一个
外电路如何产生空穴PN结处因为多数载流子耗尽及内建电场的方向问题,只有少子的漂移运动,而耗尽区无法提供载流子.但是想象如下的情况:PN结加正向偏置电压,扩散运动加强,N区的电子扩散
判断对错 1 只有单晶体硅或锗才能制作半导体器件() 2 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体()3 PN结正向偏置时电阻小,反向偏置电阻大()4 一般来说,硅晶体二极管的死区电压小
PN结的单向导电性是指:当PN结正向偏置时,电阻(),处于()状态;当PN结反向偏置时,电阻(),处于...PN结的单向导电性是指:当PN结正向偏置时,电阻(),处于()状态;当PN结反向偏置时,