如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的上下两个边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d),质量为m,将线框磁场上方高h处由静止释放,如果ab边进入磁
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/07/05 19:24:09
![如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的上下两个边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d),质量为m,将线框磁场上方高h处由静止释放,如果ab边进入磁](/uploads/image/z/8472958-70-8.jpg?t=%E5%A6%82%E5%9B%BE%E6%89%80%E7%A4%BA%2C%E7%9B%B8%E8%B7%9D%E4%B8%BAd%E7%9A%84%E4%B8%A4%E6%B0%B4%E5%B9%B3%E8%99%9A%E7%BA%BFL1%E5%92%8CL2%E5%88%86%E5%88%AB%E6%98%AF%E6%B0%B4%E5%B9%B3%E5%90%91%E9%87%8C%E7%9A%84%E5%8C%80%E5%BC%BA%E7%A3%81%E5%9C%BA%E7%9A%84%E4%B8%8A%E4%B8%8B%E4%B8%A4%E4%B8%AA%E8%BE%B9%E7%95%8C%2C%E7%A3%81%E5%9C%BA%E7%9A%84%E7%A3%81%E6%84%9F%E5%BA%94%E5%BC%BA%E5%BA%A6%E4%B8%BAB%2C%E6%AD%A3%E6%96%B9%E5%BD%A2%E7%BA%BF%E6%A1%86abcd%E8%BE%B9%E9%95%BF%E4%B8%BAL%28L%EF%BC%9Cd%EF%BC%89%2C%E8%B4%A8%E9%87%8F%E4%B8%BAm%2C%E5%B0%86%E7%BA%BF%E6%A1%86%E7%A3%81%E5%9C%BA%E4%B8%8A%E6%96%B9%E9%AB%98h%E5%A4%84%E7%94%B1%E9%9D%99%E6%AD%A2%E9%87%8A%E6%94%BE%2C%E5%A6%82%E6%9E%9Cab%E8%BE%B9%E8%BF%9B%E5%85%A5%E7%A3%81)
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的上下两个边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d),质量为m,将线框磁场上方高h处由静止释放,如果ab边进入磁
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的上下两个边界,
磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d),质量为m,将线框磁场上方高h处由静止释放,如果ab边进入磁场时的速度为v0,cd边刚穿出磁场时的速度也为v0,则从ab边刚进入磁场到cd边刚穿出磁场的整个过程中( )
A.线框中一直有感应电流
B.线框中有一阶段的加速度为重力加速度g
C.线框中产生的热量为mg(d+h+L)
D.线框有一阶段做减速运动
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的上下两个边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d),质量为m,将线框磁场上方高h处由静止释放,如果ab边进入磁
D是对的 ,因线框做自由落体运动,受重力加速度影响速度会加快,若进入磁场时的速度和离开磁场时的速度相等,则是受到了一个减速加速度的影响.所以D是对的,其他答案均有不严谨的地方,是错的.
BD
线框作的是自由落体运动,所以B是对的
因线框做自由落体运动,受重力加速度影响速度会加快,若进入磁场时的速度和离开磁场时的速度相等,则是受到了一个减速加速度的影响。所以D是对的
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感强度为B,线框abcd边长为L(L
12.如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方形线圈abcd边长为L(L
如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方行线圈abcd边
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的感应强度为B,正方形线框abcd的边长为L(L < d)、质量为m、电阻为R.现将线框在磁场上方h高处由静止开始释放,当ab
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的上下两个边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d),质量为m,将线框磁场上方高h处由静止释放,如果ab边进入磁
如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B;一正方形线框abcd边长为L(L<d),质量为m.将线框从磁场上方高h处由静止开始释放,当ab边进入
如图所示,相距为d的两水平直线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d ),质量为m.总电阻为R 将线框在磁场上方ab边距L1为h处由静止开始释放,
如图所示,相距为d的两水平直线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L<d ),质量为m.总电阻为R 将线框在磁场上方ab边距L1为h处由静止开始释放,
物理线框穿越磁场!相距均为d的的三条水平虚线L1,L2,L3,其中L1与L2,L2与L3之间分别有垂直纸面向外,向里的匀强磁场,磁感应强度大小均为B.一个边长也是d的正方形导线框abcd,从L1上方一定高处由
电磁感应定律的.2.如图所示,相距为d的两水平虚线 和 分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L
如图所示L1和L2为两条平行的虚线L1上方和L2下方都是垂直纸面向外的磁感应强度相同的匀强磁场AB两点都在L1上带电粒子从A点以初速度v斜向下与L1成45度角射出经过偏转后正好过B点经过B点时
如图所示,电阻忽略不计的两根足够长平行光滑金属导轨竖直放置,其上端接一阻值为3Ω的电阻R.在水平虚线L1、L2间有一与导轨所在平面垂直的匀强磁场B,磁场区域的高度为d=0.5m.导体棒a的质量m
如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个长方形线圈的边长分别为L1、L2,且L2<d,线圈质量m,电阻为R.现将线圈由静止释放,测得当线圈的下边缘到磁场上边缘的距
如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个长方形线圈的边长分别为L1、L2,且L2<d,线圈质量m,电阻为R.现将线圈由静止释放,测得当线圈的下边缘到磁场上边缘的距
如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个长方形线圈的边长分别为L1、L2,且L2<d,线圈质量m,电阻为R.现将线圈由静止释放,测得当线圈的下边缘到磁场上边缘的距
如图所示以质量为m的物体系于长度分别为L1和L2的两根细绳上,一端悬挂在天花板上,如图所示,质量为m的物体A系于两根轻弹簧l1、l2上,l 1的一端悬挂在天花板上C点,与竖直方向夹角为θ,l2水平拉